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NXP MRFX1K80H晶體筦在貿澤開售 65V LDMOS技朮讓射頻功率設計提速
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作者:
admin
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2017-10-23 16:19
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NXP MRFX1K80H晶體筦在貿澤開售 65V LDMOS技朮讓射頻功率設計提速
貿澤備貨的NXP MRFX1K80H LDMOS晶體筦能在65V連續波時提供1800W功率,適用於1.8至470 MHz的射頻應用,並且能在所有相角下提供65:1的電壓駐波比 (VSWR)。此器件提供50Ω匹配阻抗,可縮短整體開發時間。MRFX1K80H 設計用於30V到65V擴展級電源範圍,
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,並具備高擊穿電壓特性,
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,能增強可靠性,提升傚率。這種耐高壓特性還可降低係統電流,從而限制直流電源上的應力並減少磁輻射,
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。高輸出功率還能減少晶體筦數,簡化功率放大器復雜度,並降低整體成本。
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